SOI MOSFET器件的热载流子退化机理

作者：章晓文; 恩云飞; 赵文彬; 李恒

来源：电子产品可靠性与环境试验, 2006, (04): 9-13.

• 绝缘体上硅
• 热载流子注入效应
• 失效机理
• 可靠性 SOI(silicon on insulator)
• hot carrier injection effect
• failure mechanism
• reliability

介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展。

• 出版日期2006
• 单位中国电子科技集团公司第五十八研究所