新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

作者：李少君; 王子欧; 王媛媛; 张立军

来源：现代电子技术, 2011, (16): 123-125+130.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2011.16.041

• 静态噪声容限
• 漏电流
• 低功耗
• 可靠性 static noise margin
• leakage
• low power
• reliability

提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%。

• 出版日期2011
• 单位苏州大学