ESD应力下的NMOSFET模型

作者：路香香; 姚若河; 罗宏伟

来源：微电子学, 2007, (06): 842-847.

• 静电保护
• NMOSFET
• 半导体器件
• 器件模型 ESD
• ESD protection
• NMOSFET
• Semiconductor device
• Device model

随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。

• 出版日期2007
• 单位华南理工大学