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摘要
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管，讨论吸收层厚度和少子寿命以及倍增层厚度和少子寿命对暗电流的影响。研究表明，吸收层厚度影响热产生复合(shockley-read-hall, SRH)和缺陷辅助隧穿(trap-assisted tunneling, TAT)暗电流大小，而倍增层厚度则对TAT和直接隧穿(band-band tunneling, BBT)暗电流影响较大。少子寿命可以等效为缺陷的影响，因而对与缺陷相关的SRH和TAT暗电流影响较大。对暗电流机理的分析，为研究低暗电流高信噪比的雪崩器件提供良好的理论预测。
- 出版日期2022
- 单位湖南第一师范学院; 中国科学院上海技术物理研究所; 机电工程学院
