随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要。因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中。本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术。
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