脉冲激光烧蚀制备TaSi_2纳米颗粒

作者：黄立娟; 王磊; 吴正龙; 朱世伟; 杜军

来源：中国激光, 2010, (05): 1347-1351.

• 激光技术
• 纳米颗粒
• TaSi2
• 脉冲激光烧蚀
• X射线光电子能谱 laser technique
• nanoparticles
• TaSi2
• pulsed laser ablation
• X-ray photoelectron spectroscopy

利用脉冲激光烧蚀(PLA)技术烧蚀高纯TaSi2靶材,在高定向热解石墨(HOPG)基底上制备TaSi2纳米颗粒,用扫描电镜(SEM)分析纳米颗粒表面形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析颗粒的化学组分和元素化学价态。SEM分析结果表明,PLA制备的TaSi2纳米颗粒平均尺寸为10 nm,面密度约1×1012cm-2;XPS分析表明HOPG基底上纳米颗粒表面的化学组分为Ta,Si,C,O元素,Ta和Si元素的存在方式主要是TaSi2,用积分面积灵敏度因子法计算Ta和Si原子比为1:2.2,接近TaSi2的化学计量比。进一步分析表明烧蚀过程中,部分Ta元素与C发生反应生成TaC,部分Si元素与C反应...

• 出版日期2010
• 单位北京有色金属研究总院; 北京师范大学