采用电化学阳极氧化法在P型单晶硅基片上生成多孔硅层,利用重量法计算出多孔硅层的孔隙率。在多孔硅孔隙中填充高氯酸钠,制备多孔硅/高氯酸钠含能材料,并对其进行了电压感度测试。结果表明:生成多孔硅层的孔隙率最高可达到85%;按照GJB 772A-97标准对多孔硅/高氯酸钠进行摩擦感度测试,爆炸概率为84%;用Ni-Cr桥丝对样品起爆,当电容为33μF时,多孔硅/高氯酸钠的发火电压为25V。
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