低压化学气相沉积法生长B掺杂ZnO薄膜及其性能

作者：徐小科; 赵俊亮; 李效民; 吴永庆; 杨哲; 何兵

来源：功能材料, 2015, (07): 7043-7047.

• BZO
• 透明导电氧化物
• 生长机理
• 雾度
• 低压化学气相沉积(LPCVD) BZO
• transparent conductive oxide
• growth mechanism
• haze
• low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)

低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn(C2H5)2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂ZnO薄膜。通过XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征,着重研究了(110)取向的BZO薄膜的生长机理。结果表明,厚度在500nm以下的BZO薄膜主要表现为(002)取向,随着厚度的增加,薄膜取向开始向(110)转变。所得BZO镀膜玻璃在400~1 000nm范围内总透过率>80%,雾度最高可达28%(550nm),方块电阻最低约7Ω/□,电阻率最低约1...

• 出版日期2015
• 单位天津大学; 中国科学院上海硅酸盐研究所