通过改变超循环工艺中的循环周期,制备了HfO2、Al2O3纳米叠层栅介质薄膜,探究了循环周期对HfO2、Al2O3纳米叠层栅介质电学性能的影响。此外,进一步探究了臭氧注入时间(tO)的变化对IZO TFT器件性能的影响。
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