光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能

作者：吴庆辉; 唐慧丽; 苏良碧; 罗平; 钱小波; 吴锋; 徐军

来源：硅酸盐学报, 2017, 45(04): 548-552.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2017.04.14

• 铟掺杂氧化镓单晶
• 晶体生长
• 浮区法

采用光学浮区法生长了尺寸f(79 mm)×(3035 mm)的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga2O3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga2O3单晶相比,β-Ga2O3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga2O3:In单晶的电导率在10–2量级,Holl载流子浓度可以达到6×1019/cm2,说明掺杂In3+对β-Ga2O3单晶的电学性能有明显改善。

• 出版日期2017
• 单位中国科学院上海硅酸盐研究所; 同济大学