不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响

作者：毛彩霞; 黄海铭; 胡永红

来源：华中师范大学学报(自然科学版), 2016, 50(02): 190-195.

DOI：10.19603/j.cnki.1000-1190.2016.02.005

• 第一性原理计算
• 电子结构
• 态密度
• 光学性质
• MgZnO

通过第一性原理计算,研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响.结果表明,替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽,而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体.比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度,并解释了相应的电子结构和光学性质的差别.发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小,而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移,折射率减小,而且在可见到近紫外光区域(0到4.2eV),具有比纯ZnO更好的光透过性.

• 出版日期2016
• 单位南京理工大学; 湖北科技学院; 湖北汽车工业学院