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摘要
评述了目前流行的PCB镀前处理技术的缺陷,介绍了H_2O_2/H_2SO_4化学粗化蚀刻工艺、革新的高锰酸盐内蚀/去污工艺,其特点是可靠性高,控制简单,易于取代硫酸、氯化铜、三氯化铁、过硫酸盐、铬酸和等离子体的普通内蚀工艺、显示出质量和操作上的优越性。
- 出版日期1990
- 单位中国科学院高能物理研究所
评述了目前流行的PCB镀前处理技术的缺陷,介绍了H_2O_2/H_2SO_4化学粗化蚀刻工艺、革新的高锰酸盐内蚀/去污工艺,其特点是可靠性高,控制简单,易于取代硫酸、氯化铜、三氯化铁、过硫酸盐、铬酸和等离子体的普通内蚀工艺、显示出质量和操作上的优越性。
