摘要
开展了Cd Te/Zn S双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究。Cd Te钝化膜经退火热处理后,可实现Cd Te/MCT界面的互扩散,并改善Cd Te钝化膜的质量。通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15μm规格线列和640×512@15μm规格面阵。线列I-V测试表明:Cd Te/Zn S双层钝化膜能有效地减少长波碲镉汞器件的表面漏电流,器件的反向结特性良好。面阵在77K测试:NETD 26.7 m K,有效像元率95.4%,并对室温目标进行了凝视成像。测试过程出现了4%左右由噪声引起的零散盲元,是由芯片面阵局部钝化失效引起的,表明钝化膜沉积工艺及芯片加工工艺尚有改进的空间。
- 出版日期2018
- 单位武汉高芯科技有限公司