多孔硅阵列结构的形貌研究

作者：范晓强; 蒋勇; 展长勇; 邹宇; 伍建春; 黄宁康; 王春芬

来源：强激光与粒子束, 2013, (09): 2439-2442.

• 多孔硅阵列
• 中子探测器
• 形貌
• 异丙醇
• 阳极氧化 silicon macropore array
• neutron detector
• morphology
• isopropanol
• anodisation

采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明:在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列;腐蚀电流密度越大,孔壁越薄;初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加。

• 出版日期2013
• 单位四川大学; 中国工程物理研究院核物理与化学研究所; 中国船舶重工集团公司第七二五研究所