登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
A compact model for fully overlapped LDD FD SOI MOSFETs
作者:Zhang Guohe
*
; Shao Zhibiao; Zhou Kai
来源:
International Semiconductor Device Research Symposium
, 2007-12-12 To 2007-12-14.
DOI:10.1109/isdrs.2007.4422297
出版日期
2007
单位
西安交通大学
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献