登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
A Compact Model of Drain Current for GaN HEMTs Based on 2-DEG Charge Linearization
作者:Karumuri Naveen; Dutta Gourab; DasGupta Nandita; DasGupta Amitava
来源:
IEEE Transactions on Electron Devices
, 2016, 63(11): 4226-4232.
DOI:10.1109/TED.2016.2605130
出版日期
2016-11
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献