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A novel dynamically configurable electrostatically doped silicon nanowire impact ionization MOS

作者：Singh Sangeeta; Kondekar P N
来源：Superlattices and Microstructures, 2015, 88: 695-703.
DOI：10.1016/j.spmi.2015.10.033
  • 出版日期2015-12

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更新时间：2021-03-13 11:39