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摘要
为了防止电源反向保护电路中反接的NMOS管衬底和漏极寄生二极管正向击穿,提出了一种衬底电位自调整结构。通过在保护管衬底增加上拉耗尽型NMOS管和下拉n型双扩散(ND)MOS管,自动调整保护管在正向导通和反向截止时的衬底电位,防止其衬底和源、漏之间的寄生二极管正向导通。芯片采用0.35μm BCD工艺完成设计和流片,保护电路版图面积为0.10 mm2,衬底电位自调整电路版图面积为0.01 mm2。测试结果表明:正向工作最大击穿电压由1 V提高至9 V,过电流保护值为1.4 A,反向保护最大击穿电压达到了-26 V。与同类型电路相比,正向击穿电压有了大幅提高,显著改善了电源反向保护电路的性能。
