As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响

作者:谷云高; 杨新荣; 周晓静; 徐波; 王俊忠
来源:西南大学学报(自然科学版), 2017, 39(03): 115-119.
DOI:10.13718/j.cnki.xdzk.2017.03.018

摘要

利用固源分子束外延(MBE)设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能有效地调整InAs纳米结构的形貌特性、发光峰位,改善发光线宽,提高辐射效率,从而有利于其在长波长光电器件方面的应用.

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