AlGaInP/GaInP多量子阱MOCVD外延片光学特性测试

作者：王雅芳; 罗键

来源：厦门大学学报(自然科学版), 2010, (01): 26-29.

• AlGaInP/GaInP
• MQW
• 拉曼光谱
• 金属有机物化学气相沉积 AlGaInP/GaInP
• MQW
• Raman spectra
• MOCVD

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP/(GaInP多量子阱(MQW)外延片,通过实验找到了在周期数和阱/垒宽度比等结构参数上生产AlGaInP/GaInP MQW的比较理想的结果.对常温下AlGaInP/GaInP MQW外延片的光学性质进行深入的分析和实验研究,发现当阱/垒宽度比a=0.56时,出光强度趋于饱和,当周期数目N=20时,FWHM减小到11.9 nm,可在一定程度上达到改善MQW结构设计和提高材料生长质量的目的.

• 出版日期2010
• 单位厦门大学