HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

作者：叶振华; 尹文婷; 黄建; 胡伟达; 冯婧文; 陈路; 廖亲君; 林春; 胡晓宁; 丁瑞军; 何力

来源：红外与毫米波学报, 2012, (01): 26-28+34.

• 碲镉汞(HgCdTe)
• 氢等离子体修饰
• 光电二极管列阵
• 暗电流 HgCdTe
• hydrogen plasma modification
• photodiode arrays
• dark current

报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时...

• 出版日期2012
• 单位中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院大学