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摘要
本文运用van der Hoek等人提出的应力能函数,进行晶体生长的蒙特-卡罗模拟,研究了位错空核的形成,发现固—流键平均形成能ω和过饱和度△μ都对空核形成有很大的影响。本文还讨论了台阶及二维扩散与空核半径之间的关系。模拟表明位错空核将延缓直台阶的推进。
- 出版日期1988
- 单位南京大学; 中国科学院上海硅酸盐研究所
本文运用van der Hoek等人提出的应力能函数,进行晶体生长的蒙特-卡罗模拟,研究了位错空核的形成,发现固—流键平均形成能ω和过饱和度△μ都对空核形成有很大的影响。本文还讨论了台阶及二维扩散与空核半径之间的关系。模拟表明位错空核将延缓直台阶的推进。
