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A Physics-Based Compact Model of Metal-Oxide-Based RRAM DC and AC Operations
作者：Huang Peng
*
; Liu Xiao Yan; Chen Bing; Li Hai Tong; Wang Yi Jiao; Deng Ye Xin; Wei Kang Liang; Zeng Lang; Gao Bin; Du Gang; Zhang Xing; Kang Jin Feng
来源：
IEEE Transactions on Electron Devices
, 2013, 60(12): 4090-4097.
DOI：10.1109/TED.2013.2287755
Circuit simulation
compact model
conduction of resistive-switching random access memory (RRAM)
conductive filament's evolution
parasitic effect
pulse mode
resistive switching
出版日期
2013-12
单位
北京大学
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