利用对比方法研究了电子束辐照高粱干种子的M_1代效应。结果表明:电子束的辐射损伤明显大于γ射线,其半致矮剂量为40Cy,显著低于γ辐射(400Cy),电子束辐射M_1代田间株型变化范围及比例,均高于相应的γ射线辐射;与γ辐射相同,不同粒色的品种对电子束辐射敏感性不同,白粒品种的辐射敏感性大于红粒品种,电子束辐照高粱干种子的适宜剂量范围:白粒品种30～50Gy,红粒品种100～150Gy(剂量率10Gy/s)。
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