分子束外延生长高速直接调制1·3μmInAs/GaAs量子点激光器

作者：杨涛; 季海铭; 徐鹏飞

来源：黑龙江大学工程学报, 2011, (03): 98-101.

DOI：10.13524/j.2095-008x.2011.03.004

• 直接调制
• 量子点激光器
• 分子束外延 direct modulation
• quantum dot laser
• molecular beam epitaxy

介绍了分子束外延生长高速直接调制1.3μm InAs/GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究,外延并制作了有源区包含5层InAs/GaAs量子点的1.3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明,条宽4μm、腔长600μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5 mA,激射中心波长位于1 293 nm,并且可以在10~100℃范围内实现连续激射。大信号调制眼图测试表明,激光器在25℃下可以实现12 Gb/s眼图的清晰张开。

• 出版日期2011
• 单位中国科学院半导体研究所