nc-Si∶(Al_2O_3 SiO_2)复合膜的制备及其热电特性

作者：郝培风; 高斐; 苗锟; 刘立慧; 孙杰; 权乃承; 刘晓静; 张君善

来源：人工晶体学报, 2010, (06): 1465-1469.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.06.037

• 热电薄膜
• nc-Si∶(Al2O3 SiO2)复合膜
• 热蒸发
• Seebeck系数 thermoelectric film
• nc-Si∶(Al2O3 SiO2) composite film
• thermal evaporation
• Seebeck coefficient

采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶(Al2O3 SiO2)复合膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)及扫描电镜(SEM)等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅(nc-Si)的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶(Al2O3 SiO2)复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度(293~413 K)的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K...

• 出版日期2010
• 单位陕西师范大学