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一种锡掺杂硫化铟的花状纳米材料的制备及其在光催化还原中的应用

杨志泉; 冯津娜
华南理工大学
华南理工大学

摘要

本发明涉及一种锡掺杂硫化铟的花状纳米材料的制备及其在光催化还原中的应用。该方法包括如下步骤:以无水乙醇为溶剂,依次加入四水合三氯化铟、五水合四氯化锡和硫代乙酰胺,搅拌均匀后置于聚四氟乙烯高压反应釜中,120~180℃反应8~20个小时,自然冷却至室温。产物经处理后即得所述Sn‑In2S3的光催化材料。该光催化材料有较大的比表面积和适宜的孔隙结构,使得表面活性位点增加,锡掺杂后可增强可见光的吸收能力,有效抑制光生电子和空穴的复合,表现出更优异的光催化性能。本发明Sn‑In2S3光催化材料可还原含铀废水,在40min能还原95%以上的目标污染物,显示了优异的光催化活性。

关键词

-

出版信息

专利状态
其他(授权以外的其他状态)
专利国别
CHINA
申请日期
2018-8-16
申请号
CN201810934498.7

学科领域

化学工程与技术化学

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