CeO_2掺杂KNN-LiNbO_3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究

作者:李震宇; 甘国友; 徐腾威; 郭根生; 杜景红; 张家敏; 严继康; 易健宏
来源:人工晶体学报, 2017, 46(09): 1767-1772.
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2017.09.020

摘要

采用传统固相烧结法制备了0. 98K0. 5Na0. 5NbO3-0. 02 Li NbO3-x CeO2(0.98KNN-0.02LN+x CeO2)无铅压电陶瓷。研究了不同CeO2掺杂含量(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04)对0.98KNN-0.02LN陶瓷显微结构和电学性能的影响。研究结果表明:当CeO2掺杂含量从x=0.00到x=0.01和从x=0.02到x=0.03时,样品出现了正交-四方相转变。当x=0.00和x=0.02时,样品都处于正交与四方两相共存状态。CeO2少量掺杂时Ce4+完全进入晶格,表现为"受主"掺杂的特性;而大量CeO2掺杂时,有杂相的生成,主要起到烧结助剂的作用。样品在1080℃下烧结,当掺杂含量为x=0.02时取得最佳的综合性能:d33=104 p C/N,Qm=2201,kp=0.24423,εr=804.2,tanδ=8.748%。

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