f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)

作者：程伟; 金智; 刘新宇; 于进勇; 徐安怀; 齐鸣

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (03): 414-417.

• InP
• 异质结晶体管
• 聚酰亚胺
• 平坦化 InP
• HBT
• polyimide
• planarization

成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×15μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.

• 出版日期2008
• 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院微电子研究所