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摘要
本发明提供了一种择优取向p型碲化铋基多晶块体热电材料的制备方法,包括以下步骤：以Bi、Sb和Te单质粉末为原料,按BixSb2-xTe3化学计量比称取配料,将上述原料装入石英玻璃管或高硼硅玻璃管抽真空密封,再将密封的石英玻璃管或高硼硅玻璃管放入摇摆炉内进行充分熔炼,熔炼结束之后,将摇摆炉炉膛旋转至竖直位置,冷却后制得p型碲化铋基合金晶棒；将制得的p型碲化铋基合金晶棒切割成块体,将块体装入等通道转角挤压模具后置于热压烧结炉中进行烧结挤压,即得择优取向p型碲化铋基多晶块体热电材料。本发明所制备的p型碲化铋基多晶块体热电材料电阻率较低、塞贝克系数较高、热导率低,在343K能够得到最大ZT值1.55。
- 出版日期2019-4-22
- 单位武汉科技大学
