n型多孔硅的制备及其光致发光性能

作者：宋晓岚; 喻振兴; 程蕾; 吴长荣; 张泰隆; 邓大宝

来源：中南大学学报(自然科学版), 2010, (04): 1229-1233.

• n型多孔硅
• 双槽电化学腐蚀法
• 光照条件
• 光致发光性能 porous silicon
• double-tank electrochemical corrosion method
• illumination
• photoluminescence property

采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅(n-PS);在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜(SEM)测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌和光致发光性能(PL)的影响。研究结果表明,通过光照,能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n-PS,在约600 nm处产生较强荧光峰;随腐蚀时间、HF含量和电流密度增加,PL峰位先发生蓝移,而后又出现红移;PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势,分别在腐蚀时间为20 min、HF含量为6%和电流密度为60 mA/cm2时峰强出现极大值;而提高掺杂含量,PL性能降...

• 出版日期2010
• 单位中南大学