(111)择优取向的Pb(ZrTi)O铁电薄膜的制备及研究

作者：郑分刚; 陈建平; 李新碗

来源：Acta Physica Sinica, 2006, (06): 3067-3072.

• PZT铁电薄膜
• 择优取向
• 过渡层
• 剩余极化强度

选用不同浓度的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3溶胶,用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3(PZT52)过渡层,经400℃烘烤、550℃退火等程序后,再用Sol-gel法在PZT52过渡层上沉积Pb(Zr0·52Ti0·48)O3薄膜.XRD分析表明,有PZT52过渡层的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3薄膜具有(111)择优取向的钙钛矿结构,且随着过渡层厚度的增加,Pb(Zr0·52Ti0·48)O3薄膜的(111)择优取向程度越高.SEM分析表明,当PZT52过渡层的厚度达到14nm以上,Pb(Zr0·52Ti0·48)O3薄膜结晶程度得到明显改善,平均晶粒尺寸大大增加.介电、铁电性能测试表明,与没有过渡层的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3薄膜相比,有PZT52过渡层的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3薄膜具有较大的介电常数和剩余极化强度,而介电损耗则较小.

• 出版日期2006
• 单位上海交通大学