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摘要
<正> 薄膜的生长质量与衬底温度有很大关系。等离子体淀积薄膜时,衬底温度一般在100—400℃范围内,控温精度为±5℃左右。在通常的使用环境中,这是不难实现的。但对等离子体淀积设备而言,测温对象处于十几兆赫(典型频率为13.56MHz)的射频环境中,对温度传感器、控制器有很强的电磁辐射干扰。我们在研制这种使用环境下的温度控制器方面进行了一些探索,本文报道这方面的工作。
- 出版日期1988
- 单位中国电子科技集团公司第四十八研究所
<正> 薄膜的生长质量与衬底温度有很大关系。等离子体淀积薄膜时,衬底温度一般在100—400℃范围内,控温精度为±5℃左右。在通常的使用环境中,这是不难实现的。但对等离子体淀积设备而言,测温对象处于十几兆赫(典型频率为13.56MHz)的射频环境中,对温度传感器、控制器有很强的电磁辐射干扰。我们在研制这种使用环境下的温度控制器方面进行了一些探索,本文报道这方面的工作。
