一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法

作者：姚日晖; 李依麟; 宁洪龙; 邹文昕; 郭晨潇; 吴振宇; 张康平; 苏国平; 杨跃鑫; 彭俊彪

来源：2021-12-15, 中国, CN202111531363.4.

本发明公开了一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法。制备方法包括如下步骤：(1)制备栅极、绝缘层和有源层；(2)在较低温度下进行氧气气氛退火；(3)进行两步掩膜版等离子处理,第一步采用高能氮气等离子处理,第二步采用低能氮气+氧气混合气体等离子处理；(4)通过直流溅射制备铝源漏电极,得到TFT器件。本发明方法具有设备简单、可大面积处理、处理时间短、工艺温度低等优势,采用两步等离子处理方法,可以充分发挥其能量传递和界面反应的优化作用。低温工艺不会对柔性衬底造成损伤,其普遍适用于柔性AOS-TFT器件的可靠性提高。

• 出版日期2021-12-15
• 单位华南理工大学