一种用于射频集成电路的自卷曲带通滤波器的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于射频集成电路的自卷曲带通滤波器的制备方法，属于电子器件制备技术领域。制备操作步骤如下：(1)在基底上制作牺牲层，(2)在牺牲层上制作双频氮化硅薄膜的应变层，(3)在应变层上制作镂空图案，(4)在应变层上沉积金属导电层，包括串联的U型电感、交指电容、第一传输线和第二传输线，(5)在金属导电层上沉积绝缘层，(6)制作刻蚀窗口，(7)刻蚀牺牲层触发卷曲，在应变层的作用下，使应变层、金属导电层一起卷曲，制得自卷曲带通滤波器结构。本发明的制备方法提供了片上面积较小、性能可靠、带宽较宽的高性能带通滤波器，实现电容、电感、传输线的单片集成，在微尺寸结构下具有高频特性和超宽带的带通滤波器。

关键词