后摩尔时代集成电路的新器件技术

作者：黄如; 黎明; 安霞; 王润声; 蔡一茂

来源：中国科学:信息科学 , 2012, (12): 1529-1543.

• 后摩尔时代
• 纳米电子器件
• 新结构
• 新原理
• 新材料
• 技术路线图 post-Moore era
• nanoelectronic device
• new structure
• new principle
• new material
• technology roadmap

随着大规模集成电路(IC)技术的持续发展,来自短沟效应、量子隧穿以及寄生效应等问题的挑战使得传统微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续推进的要求,特别是日益严峻的能耗问题已经成为延续摩尔定律的最大瓶颈,在后摩尔时代采用新器件技术成为必然.面向不同集成电路应用如何发展适合未来微电子产业需求的纳米尺度新器件成为当前热点问题.本文结合新结构器件、新原理器件和新材料的引入介绍适于大规模集成的纳米尺度新器件技术,包括FinFET器件、超薄体SOI器件、准SOI器件、多栅/围栅硅纳米线器件、超陡亚阈摆幅器件、高迁移率沟道器件等,分析相关器件优势、存在问题、可能解决方案及应用前景等,并讨论后摩尔时代新器件...

• 出版日期2012
• 单位北京大学