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摘要
本文采用一种简易制备静电场样品的方法,基于以下物理事实:一个置于薄导电碳膜上的非导电粒子,例如直径为0.31μm聚乙烯乳剂小球,在电镜中观察时,由于静电积累效应,它将成为一个荷电体,很显然,这个荷电体带有正电量Q,并能用一个点电荷场来模拟这个合成电场.采用这个模型,能用电子全息法观测由该点电荷所形成的静电场分布及荷电量的大小.
- 出版日期1990
- 单位中国科学院上海光学精密机械研究所
本文采用一种简易制备静电场样品的方法,基于以下物理事实:一个置于薄导电碳膜上的非导电粒子,例如直径为0.31μm聚乙烯乳剂小球,在电镜中观察时,由于静电积累效应,它将成为一个荷电体,很显然,这个荷电体带有正电量Q,并能用一个点电荷场来模拟这个合成电场.采用这个模型,能用电子全息法观测由该点电荷所形成的静电场分布及荷电量的大小.
