高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料

作者：张彬彬; 李书平; 李金钗; 蔡端俊; 陈航洋; 刘达艺; 康俊勇

来源：厦门大学学报(自然科学版), 2012, (01): 17-21.

• AlGaN
• 量子阱
• 欧姆接触
• 紫外LED AlGaN
• quantum well
• ohmic contact
• UV-LED

采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片.并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法,获得了良好的欧姆接触电极,进一步将外延片制备成LED管芯.通过对量子结构有源层量子阱混晶组分的设计和调整,掌握并实现了主波长260～330nm紫外LED结构材料的制备.

• 出版日期2012
• 单位机电工程学院; 厦门大学