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摘要
本发明属于薄膜晶体管技术领域,公开了一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层有源层薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成。本发明采用射频磁控溅射沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层,构成AZO/Al2O3有源层,AZO薄膜含有的元素为Al、Zn、O,这三种元素资源丰富,且都无毒无害,可以很好的响应当下提倡的绿色环保要求,与此同时可实现大面积的生产,且制备过程不需要加热处理。
- 出版日期2018-9-29
- 单位华南理工大学
