Ar~+离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究

作者：徐世红; 刘先明; 朱警生; 麻茂生; 张裕恒; 徐彭寿; 许振嘉

来源：中国科学技术大学学报, 1993, (04): 79-83.

• 异质结
• 能带偏离
• X光电子能谱 heterojunction
• band offset
• XPS

用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△E_v)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar~+离子的浓度分布有关。

• 出版日期1993
• 单位中国科学院半导体研究所; 中国科学技术大学