NAND闪存编程干扰错误研究

作者：阳小珊; 朱立谷; 张猛; 张伟

来源：中国传媒大学学报(自然科学版), 2018, 25(03): 23-17.

DOI：10.16196/j.cnki.issn.1673-4793.2018.03.003

• NAND闪存
• 3D-TLC
• 编程干扰错误
• 编程干扰错误率

编程干扰错误是3D-TLC NAND闪存的主要错误之一,了解3D-TLC NAND闪存编程干扰错误模式是设计可靠方案的前提和基础。以实际的FPGA测试平台为基础对3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误的出错模式进行了测试研究,分析发现:3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误会使单元状态转移比例具有不平衡的关系;MSB页、CSB页和LSB页具有不平衡的比特错误比例和比特错误率分布。这些测试发现为设计可靠的方案提供了重要技术参考信息。

• 出版日期2018
• 单位中国传媒大学; 华中科技大学; 中国电子科技集团公司第十五研究所; 武汉光电国家实验室; 中国大唐集团科学技术研究院有限公司