AlN压电薄膜的制备工艺

作者：陈颖慧; 王旭光; 席仕伟; 施志贵; 姚明秋

来源：微纳电子技术, 2013, (08): 506-511.

• AlN薄膜
• 射频反应磁控溅射
• c轴择优取向
• X射线衍射(XRD)
• 原子力显微镜(AFM) AlN thin film
• RF reactive magnetron sputtering
• c-axis orientation
• X-ray diffraction(XRD)
• atomic force microscopy(AFM)

采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。

• 出版日期2013
• 单位中国工程物理研究院电子工程研究所