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摘要
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm），平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结（PBH）条形结构多量子阱激光器阈值电流13～15mA.经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
- 出版日期1997
- 单位中国科学院半导体研究所
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm），平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结（PBH）条形结构多量子阱激光器阈值电流13～15mA.经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
