具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法

作者：毕臻; 苏爱雪; 张春福; 陈大正; 张进成; 张金凤; 许晟瑞; 郝跃

来源：2018-04-25, 中国, ZL201810380972.6.

本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法,包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构,表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构,本发明主要利用纳米软压印技术,制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件,包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率,通过调节复合微纳结构的高度及填充因子,使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化,这种等效的折射率缓变结构,减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度,极大地降低反射率,同时增加光程,提高有效光吸收,从而实现太阳电池的高转换效率。

• 出版日期2018-4-25
• 单位西安电子科技大学