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摘要
本发明属于场效应晶体管技术领域,具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料,将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压,然后撕开,重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单,所需的药品以及实验仪器都是普通常见的,不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染,形状规则,可以有效改善场效应晶体管的性能。
- 出版日期2018-9-12
- 单位华南理工大学
