器件参数对SiC MOSFET并联均流影响的统计分析

作者：柯俊吉; 赵志斌; 孙鹏; 邹琦; 崔翔; 杨霏

来源：半导体技术, 2018, 43(03): 181-187.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.03.005

• SiC MOSFET
• 正态分布
• 变异系数
• 3σ准则
• 电流分配

SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)多芯片并联或分立器件并联器件已成为大电流应用的主流方案。为研究SiC MOSFET器件参数分散性对并联器件电流分配的影响,采用变异系数作为评估指标,对比了同批次器件不同参数的分散性,并探讨了不同结温下参数分散性的波动。基于假设检验方法,验证了器件参数近似服从正态分布。由拉依达(Pau-Ta)(3σ)准则得到了器件参数分布范围,然后推导了电流不均衡度和电流降额率与器件参数分散性之间的关系。统计分析结果表明:跨导系数分散性最小,但其对电流分配的影响最显著;SiC MOSFET并联的静动态降额率会随器件参数分散性和并联数量的增大而增大,但增长速度逐渐减缓。因此,在芯片并联前,应根据应用需求进行芯片筛选来降低器件参数的差异,同时合理选择并联数量。

• 出版日期2018
• 单位华北电力大学; 全球能源互联网研究院; 新能源电力系统国家重点实验室