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HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究
作者:卓木金; 马秀良
来源:
电子显微学报
, 2006, S1: 95-96.
界面层
HfO_2/Si
TEM研究
栅介质
相对介电常数
栅氧化层
薄膜性能
退火温度
退火过程
晶格匹配
出版日期
2006
单位
中国科学院金属研究所
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