电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜

作者：何海英; 偰正才; 罗怡韵; 夏远凤; 牛憨笨

来源：光电子技术, 2015, 35(01): 70-72.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2015.01.016

• MgSnO薄膜
• 电子束蒸发
• 电学特性
• 光学特性

采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.1492.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59cm2 V-1s-1。

• 出版日期2015
• 单位深圳大学