S空位调节扶手型二硫化钼纳米带的电子性质

作者：高云婕; 高见; 周小羽

来源：原子与分子物理学报, 2021, 38(03): 81-85.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2021.032006

• AMoS2NRs
• S空位
• 纳米带
• 扶手型

二硫化钼纳米带按边界结构特征可分为锯齿型和扶手型,在制备过程中,不可避免地会存在一定的缺陷,其中硫空位(VS)最为常见,它将改变纳米结构,进而影响其电子性质.本文采用密度泛函理论来研究S空位对扶手型二硫化钼纳米带性质的影响.计算结果表明:纯扶手型二硫化钼纳米带(AMoS2NRs)为非磁性半导体,但其物性受S空位的位置及浓度所调制.当S空位出现在纳米带内部时,其性质不变.但当S空位在纳米带边缘时,AMoS2NRs被调节成半金属;并随着S空位的浓度的增加,其物性从半金属转变为稀磁半导体.这一有趣的发现将使得低维MoS2纳米材料在自旋电子学上有更宽广的应用.

• 出版日期2021
• 单位电子工程学院