I型和VIII型Sr填充Si基、Ge基、Sn基笼合物电子结构的第一性原理研究

作者：程峰; 王劲松; 刘虹霞; 申兰先; 邓书康

来源：硅酸盐通报, 2015, S1: 335-339+343.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2015.s1.082

• 第一性原理
• 笼合物
• 电子分布 first principle
• clathrates
• electronic distribution

第一性原理是根据原子核和电子互相作用的原理及其基本运动规律,运用量子力学原理,从具体要求出发经过一些近似处理后直接求解薛定谔方程的算法。本文采用第一性计算原理计算Ⅰ-型和Ⅷ-型Sr填充Si基、Ge基、Sn基笼合物的结构和性质,研究不同基团对笼合物结构与电传输特性的影响。结果表明:Sr_8Ga_(16)Si_(30)、Sr_8Ga_(16)Ge_(30)、Sr_8Ga_(16)Sn_(30)都是间接带隙半导体,Sr_8Ga_(16)Sn_(30)的带隙最小且体模量最大,Sr_8Ga_(16)Sn_(30)带边结构的不对称性说明Sr_8Ga_(16)Sn_(30)的热电性能性能可能优于Sr_8Ga...

• 出版日期2015
• 单位云南师范大学